Изложены краткие теоретические сведения по спектроскопии низко-частотного шума, спектроскопии адмиттанса, релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Описан измерительный аппаратно-программный комплекс для исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик, спектроскопии адмиттанса и низкочастотного шума. Описан ком-плексный метод измерений и результаты его применения для изучения полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs. Проведены исследования шумовых свойств в аморфных и кристаллических тонких пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника (Ge2Sb2Te5)1-xBix с различным массовым % содержания Bi